kSA 400 RHEED圖形分析系統(tǒng)，適合各種薄膜沉積系統(tǒng)（如：脈沖激光沉積設備PLD,濺射系統(tǒng)Sputtering,分子束外延MBE, 金屬有機化學氣相沉積MOCVD等）上的RHEED系統(tǒng)。目前第四代系統(tǒng)結(jié)合優(yōu)質(zhì)的硬件和軟件，為客戶提供豐富的RHEED分析信息。
原理
軟件分析RHEED反射式高能電子衍射，對來自樣品薄膜的衍射圖像進行采集，并通過系統(tǒng)自動計算測量晶格間距、共振長度和振動強度，同時通過衍射條紋的強度震蕩曲線檢測薄膜沉積速率。
分析功能
同時測量晶格間距、相干長度和晶體表面結(jié)構(gòu)演化；薄膜沉積速率和沉積厚度分析；三維衍射圖像分析等。
基本配置
? CCD系統(tǒng)：標準型，高分辨型
? 光學系統(tǒng)：RHEED定量分析及成像分析
? 標準接口法蘭（可定制）
主要特點和功能
? 衍射圖像采集CCD和光學系統(tǒng)
? 實時的薄膜生長速率測量
? 實時晶格間距和表面均勻性分析
? 貼心的技術(shù)支持
? 多個品牌的電子槍全面控制功能可供選擇
? 適用于多種薄膜沉積系統(tǒng)：MBE、 PLD、濺射和電子束蒸發(fā)等
? 持續(xù)不斷的軟件系統(tǒng)更新
可選功能
? 包含鎖相外延生長（PLE）
? 低能電子衍射（LEED）
? 俄歇電子能譜（Auger）
? 光電子能譜（XPS）等
實際應用
主要用于安裝在真空薄膜沉積設備上，在薄膜生長過程中，對該薄膜材料的多項物理特性進行實時原位的分析，進而進一步指導和優(yōu)化薄膜的生長工藝。
